Linha de produção de material de carbono de silício de deposição de gás

O material de eletrodo negativo de carbono de silício de deposição de vapor é um material de eletrodo negativo formado por carregamento uniforme de silício (Si) na forma de partículas de nanoescala, filmes finos ou nanofios sobre a superfície ou o interior de um substrato de carbono (como grafite, nanotubos de carbono) através de técnicas de deposição química de vapor (CVD) ou deposição física de vapor (PVD) e revestimento com uma camada de carbono para formar uma estrutura composta estável de "carbono de silício". Sua principal vantagem é a dispersão de nanoescala mais uniforme do silício, ligação mais forte entre o silício e a interface do carbono, que pode maximizar a alta capacidade do silício (teórica 4200mAh / g) e suprimir a expansão do volume (através de tamponamento de matriz de carbono). É uma importante rota técnica para a produção em massa de eletrodos negativos de carbono de silício de alta densidade energética. A linha de produção é projetada em torno de "revestimento de carbono de deposição de silício em fase de vapor / controle de estrutura composta".