Линия производства оксида кремния (углерода)

Оксид кремния (SiO) является важной ветвью отрицательных электродов на основе кремния, которая сочетает в себе емкость и стабильность. Его основной логикой является использование расширения объема (около 200%) SiO (теоретическая специфическая емкость ~ 1500 мАч / г, примерно в 4 раза ниже, чем графит), который ниже, чем чистый кремний (300%). SiO используется в качестве прекурсора композита с углеродными материалами и далее решает противоречие "высокоемкостного высокого цикла низкого расширения" материалов на основе кремния посредством буферного эффекта и структурного регулирования углеродной матрицы. По сравнению с нанокримниевым углеродом его преимущество заключается в меньшей сложности подготовки сырья и более простом контроле расширения объема. Производственная линия разработана вокруг "подготовки / очистки стабилизации структуры модификации композита оксида кремния углерода".