Линия производства кремниевого углеродного материала для отложения газа

Материал отрицательного электрода кремния углерода с отложением пара является отрицательным электродовым материалом, образованным путем равномерной загрузки кремния (Si) в виде наномасштабных частиц, тонких пленок или нанопроводов на поверхность или внутреннюю часть углеродного субстрата (например, графита, углеродных нанотрубок) с помощью химического отложения пара (CVD) или физического отложения пара (PVD) и покрытия его углеродным слоем для образования стабильной композитной структуры "кремниевого уг Его основным преимуществом является более равномерная наномасштабная дисперсия кремния, более сильная связь между кремнием и углеродным интерфейсом, которая может максимизировать высокую емкость кремния (теоретический 4200 мАч / г) и подавить расширение объема (через буферирование углеродной матрицы). Это важный технический путь для массового производства высокоэнергетических кремниевых углеродных отрицательных электродов. Производственная линия разработана вокруг "парофазного кремниевого отложения углеродного покрытия / контроля композитной структуры".