خط إنتاج مواد أكسيد السيليكون
01. منطقة خلط المكونات
02. قسم الشاشة
03. منطقة التخليط عالية درجة الحرارة
04. منطقة إزالة الشوائب
02. قسم الشاشة
03. منطقة التخليط عالية درجة الحرارة
04. منطقة إزالة الشوائب
05. منطقة قاسية
06. منطقة سحق وتصنيف
07. منطقة إزالة المغناطيسية
08. منطقة التعبئة والتغليف
06. منطقة سحق وتصنيف
07. منطقة إزالة المغناطيسية
08. منطقة التعبئة والتغليف
نظرة عامة على الحل
أكسيد السيليكون (SiO) سلف مادة الكهرباء السلبية القائمة على السيليكون هو فرع مهم من الكهرباء السلبية القائمة على السيليكون التي تجمع بين القدرة والاستقرار. المنطق الأساسي هو استخدام توسع الحجم (حوالي 200٪) من SiO (السعة المحددة النظرية ~ 1500mAh / g ، حوالي 4 أضعاف الجرافيت) ، وهو أقل من السيليكون النقي (300٪). يستخدم SiO كسلائف للمركبات مع مواد الكربون ، ومزيد من حل تناقض "دورة توسع عالية عالية القدرة منخفضة" للمواد القائمة على السيليكون من خلال تأثير التخزين المؤقت والتنظيم الهيكلي لمصفوفة الكربون. مقارنة بكربون السيليكون النانو ، تكمن ميزته في صعوبة أقل لإعداد المواد الخام وسهولة التحكم في توسع الحجم. تم تصميم خط الإنتاج حول "إعداد / تنقية استقرار هيكل تعديل مركب أكسيد السيليكون".
-
3
ppm
مادة مغناطيسية: ≥ -
33.5
%
محتوى الأكسجين: ≥ -
99
%
النقاء: ≥
المعلمات
| اسم المعلمة | متطلبات مستوى البطارية | طريقة الاختبار |
|---|---|---|
| المساحة السطحية المحددة | 1-5 متر²/جرام | طريقة امتصاص النيتروجين BET (GB/T19587) |
| الكثافة المدقة | 0.8-1.2 جرام/سم³ | جهاز قياس الكثافة المدقة (GB/T5162) |
| توزيع حجم الجسيمات (D50) | 3-15 ميكرون | جهاز قياس حجم الجسيمات بالليزر (ISO13320) |
| قيمة x في SiOₓ | 0.8 < x < 1.2 | XPS |
| طبقة الكربون المطلية | 5-20% وزن | TGA |
| محتوى الأكسجين (% وزن) | ≈33.5% | تحليل العناصر |
| محتوى الرطوبة | ≤300 جزء في المليون | طريقة كارل فيشر (GB/T6283) |
| الأجسام المغناطيسية الأجنبية | ≤50 جزء في المليار | ICP-MS |
| السعة النوعية الأولية للإفراغ | 1200-1600 مللي أمبير/جرام | جهاز اختبار البطارية |
| الكفاءة الأولية | 70-85% | جهاز اختبار البطارية |
| عمر الدورة | ≥500 دورة | جهاز اختبار البطارية |
امسح لليسار واليمين لمشاهدة الجدول الكامل









