خط إنتاج المواد الكربونية السيليكون تراسب الغاز

01. منطقة الكربون
02. منطقة مختلطة
03. منطقة سحق
04. منطقة التجفيف
05. منطقة الضغط
06. منطقة نشطة
07. منطقة غسيل الحمض

08. منطقة الطرد المركزي
09. منطقة سحق تدفق الهواء
10. منطقة ترسب السيلان
11. منطقة مغلفة بالكربون
12. قسم الفحص المغناطيسي
13. منطقة التعبئة والتغليف

خط إنتاج المواد الكربونية السيليكون تراسب الغاز

نظرة عامة على الحل

مادة الكترود الكربوني السلبي السيليكون ترسب البخار هي مادة الكترود السلبي التي تتشكل عن طريق تحميل السيليكون (Si) بشكل موحد في شكل جزيئات نانوية أو أفلام رقيقة أو أسلاك نانوية على سطح أو داخل ركيزة الكربون (مثل الجرافيت أو أنابيب الكربون النانوية) من خلال تقنيات ترسب البخار الكيميائي (CVD) أو ترسب البخار المادي (PVD) ، وتغطيته بطبقة كربونية لتشكيل هيكل مركب مستقر "كربون السيليكون". ميزته الأساسية هي التشتت النانوي الأكثر توحيدًا للسيليكون ، والارتباط الأكثر قوة بين السيليكون وواجهة الكربون ، والتي يمكن أن تعظيم القدرة العالية للسيليكون (النظرية 4200mAh / g) وقمع توسع الحجم (من خلال تخزين مصفوفة الكربون). إنه طريق تقني مهم للإنتاج الضخم للأقطاب الكهربائية السلبية للكربون السيليكون عالية الكثافة الطاقة. تم تصميم خط الإنتاج حول "طلاء الكربون / التحكم في الهيكل المركب لتراسب السيليكون في مرحلة البخار".

1800
mAh

القدرة: ≥
90
%

التأثير الأول: ≥
15%-30
%

محتوى الكربون: ≥

المعلمات

اسم المعلمة	المدى النموذجي	طريقة الاختبار
محتوى النواة السيليكونية	45%-55%	تحليل الوزن الحراري TG
محتوى طبقة الكربون	15%-30%	الخريطة الإلكترونية لتحليل الطيف الإلكتروني بالمجهر النافذ (TEM-EDS)
محتوى الأكسجين	≤5%	التشذيب العميق لتحليل الطيف الإلكتروني بالأشعة السينية (XPS)
شوائب المعادن (Fe/Ni)	≤20 جزء في المليون	تحليل الأشعة السينية GD-MS
بقايا الهيدروجين	≤0.1%	الكروماتوغرافيا الغازية
السعة الأولية للإفراغ	1800-2500 مللي أمبير/جرام	0.1C، 0.005-2.0V
الكفاءة الكولومبية الأولية	88-95%	0.1C، 0.005-2.0V
عمر الدورة	≥1000	1C، 100% DOD
معدل التوسع الحجمي	15-25%	قياس سماكة القطب
قدرة التحمل	سعة 5C ≥1600 مللي أمبير/جرام	إفراغ 5C